Rit. Shockley
   
Documenti
 
  
Cronologia tlc
 
Cronologia telegrafo
 
Cronologia telefono
 
Cronologia radio
 
Cronologia TV
 
Cronologia comp.
   
Indice Scienziati
   
Bibliografia

 
 

William Shockley

 

Londra 13.02.1910 – Stanford 12.08.1989


    
Cenni biografici
   
 
 

 


Studiò al California Institute of Technology e al Massachusetts Institute of Tecnology, dove svolse anche attività di docente. Nel 1936 passò ai laboratori dell’industria telefonica Bell, dove si dedicò allo studio delle proprietà dei semiconduttori nella prospettiva di riuscire ad ottenere, attraverso questi, un effetto di amplificazione della corrente elettrica. Shockley, che lavorava in collaborazione con W. H. Brattain e J. Bardeen, riuscì effettivamente a conseguire questo scopo con la costruzione del dispositivo noto oggi come transistor, in cui l’accorta disposizione di impurezze donatrici e recettrici di elettroni consentiva di sfruttare al meglio la proprietà dei semiconduttori. Ad un prototipo, detto transistor a punto di contatto, Shockley e colleghi fecero seguire il più perfezionato transistor a giunzione, destinato ad avere innumerevoli e fondamentali applicazioni. Shokley ebbe parecchi riconoscimenti e nel 1956 condivise con Bardeen il Premio Nobel per la fisica grazie, appunto, alla sua ultima invenzione.


 


Documenti

 

BREVETTO   USA 2502488    Semiconductor amplifier   aprile 1950

W. Shockely Transistor technology  evokes new physics -Nobel Lecture 11 dicembre 1956