| Studiò
al
California Institute
of Technology e al Massachusetts Institute of Tecnology, dove svolse
anche
attività di docente. Nel 1936 passò ai laboratori
dell’industria
telefonica Bell, dove si dedicò allo studio delle
proprietà
dei semiconduttori nella
prospettiva di
riuscire ad ottenere,
attraverso questi, un effetto di amplificazione della corrente
elettrica.
Shockley, che lavorava in collaborazione con W. H. Brattain e J.
Bardeen,
riuscì effettivamente a
conseguire
questo scopo con la
costruzione del dispositivo
noto oggi come transistor, in cui l’accorta disposizione di
impurezze
donatrici
e recettrici di elettroni consentiva di sfruttare al meglio la
proprietà
dei semiconduttori. Ad un
prototipo, detto
transistor a punto di
contatto, Shockley
e colleghi fecero seguire il più perfezionato transistor a
giunzione,
destinato ad avere innumerevoli e fondamentali applicazioni. Shokley ebbe parecchi riconoscimenti e
nel 1956 condivise
con Bardeen il Premio Nobel per la fisica grazie, appunto, alla sua
ultima
invenzione. |
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