|
Brattain
cercava di
realizzare una struttura
metallo-isolante-semiconduttore che consentisse l'amplificazione di un
segnale in modo efficace. L'idea era semplice: applicando una tensione
positiva all'elettrodo metallico si sarebbe dovuto poter attrarre
elettroni nel semiconduttore, prendendoli dal circuito esterno. La
resistenza del semiconduttore sarebbe dovuta diminuire e la corrente
elettrica quindi aumentare: si sarebbe così potuto ottenere
l'amplificazione del segnale applicato all'elettrodo metallico. Il
dispositivo non funzionò. Bardeen dette la spiegazione
dell'insuccesso: gli elettroni erano effettivamente attratti nel
germanio e addensati alla superficie, dove però restavano
intrappolati a causa della scarsa qualità della superficie
stessa, rovinata dal taglio e dalla lavorazione. L'idea però
era
assolutamente valida e oggi è alla base di una intera
famiglia
di dispositivi: i «transistor a effetto di campo».
La sperimentazione continuava; un
errore sperimentale portò alla scoperta
dell'effetto di
amplificazione cercato, anche se non mediante la struttura prevista.
Nel corso della ripulitura del cristallo di germanio, venne asportato
il sottile strato di isolante e il contatto metallico fu quindi
realizzato direttamente sul semiconduttore; questo diede origine a un
nuovo effetto che fu attentamente valutato e non semplicemente
rigettato, in quanto dovuto a un errore. Vennero applicati al germanio
due contatti metallici a punta molto vicini: l'intensità
della
corrente circolante tra una delle due punte e un terzo contatto di
massa aumentava se all'altra punta veniva applicata una tensione.
Inoltre un segnale modulato inviato a una delle due punte compariva
amplificato all'altra: si era così ottenuto l'effetto di
amplificazione di segnali elettrici modulati a lungo cercato.
|
|
